Loại bỏ khí carbon trong quy trình sản xuất semiconductors
Nếu bạn muốn biến nhà máy sản xuất semiconductors thành một nơi không phát thải khí carbon, thì việc chỉ thay thế các bóng đèn thông thường bằng bóng đèn LED là chưa đủ. Thách thức thực sự nằm ở cách chúng ta xử lý nhiệt lượng trong quá trình xử lý wafer. Đây chính là lúc các bóng đèn hồng ngoại được phủ lớp vàng phát huy tác dụng.
Ưu điểm của việc phủ lớp vàng
Các bóng đèn thạch anh thông thường gây ra nhiều vấn đề – chúng tỏa nhiệt ra mọi hướng. Trong nhà máy, một lượng lớn nhiệt lượng này bị lãng phí hoặc bị hấp thụ bởi các bộ phận của máy móc không cần sử dụng năng lượng đó.
Bằng cách phủ một lớp vàng mỏng lên bề mặt thạch anh, chúng ta có thể thay đổi tình hình. Lớp vàng phản chiếu lại bức xạ sóng dài về phía sợi dây tóc của bóng đèn, trong khi lại giúp truyền sóng hồng ngoại sóng ngắn đi thẳng về phía trước. Kết quả là có một chùm nhiệt tập trung, giúp làm nóng bề mặt wafer một cách nhanh chóng. Bạn sẽ không phải chờ đợi để mọi thứ được làm nóng, đồng thời cũng tránh được tình trạng làm nóng các bộ phận khác của máy móc.
Hiệu suất và những hạn chế
Những bóng đèn này được thiết kế để hoạt động với cường độ cao. Điều này giúp tăng tốc độ xử lý wafer. Tuy nhiên, điều này cũng tạo ra áp lực lớn lên bề mặt thạch anh. Nếu hệ thống làm mát không hoạt động hiệu quả, các đầu ống của bóng đèn sẽ mau hỏng. Bạn cần tìm được sự cân bằng giữa cường độ nhiệt và lưu lượng luồng khí, nếu không bạn sẽ phải thay thế bóng đèn thường xuyên hơn mong muốn.
Lợi ích cho nhà máy
Việc sử dụng bóng đèn hồng ngoại được phủ lớp vàng không chỉ giúp tăng tốc độ xử lý wafer mà còn giúp giữ cho môi trường trong nhà máy mát mẻ hơn. Vì có ít nhiệt lượng bị lãng phí, hệ thống điều hòa không khí cũng không cần phải làm việc quá sức để duy trì nhiệt độ mong muốn. Đó là một giải pháp tuyệt vời. Bạn sẽ có thời gian xử lý wafer nhanh hơn, đồng thời tiết kiệm được chi phí điện năng. Kết hợp chúng với bộ điều khiển SCR chính xác, bạn có thể kiểm soát nhiệt độ một cách hiệu quả, tránh tình trạng nhiệt độ tăng đột biến như ở các hệ thống cũ.